[Straipsniai] Grinys, Tomas; Kadys, Arūnas; Malinauskas, Tadas; Lapukas, Petras; Podlipskas, Žydrūnas; Gudaitis, Rimantas; Meškinis, Šarūnas. GaN metal-organic vapor phase epitaxy on Sc2O3/Si templates for group III-nitride monolithic integration to Si technology // Scientific reports. Berlin : Nature portfolio. ISSN 2045-2322. 2025, vol. 15, iss. 1, art. no. 27316, p. 1-13. DOI: 10.1038/s41598-025-12904-9.

[Straipsniai] Badokas, Kazimieras; Kadys, Arūnas; Mickevičius, Jūras; Ignatjev, Ilja; Skapas, Martynas; Stanionytė, Sandra; Radiunas, Edvinas; Juška, Giedrius; Malinauskas, Tadas. Remote epitaxy of GaN via graphene on GaN/sapphire templates // Journal of physics D: applied physics. Bristol : Institute of Physics Publishing Ltd. ISSN 0022-3727. eISSN 1361-6463. 2021, vol. 54, iss. 20, art. no. 205103, p. [1-8]. DOI: 10.1088/1361-6463/abe500.

[Straipsniai] Juodkazytė, Jurga; Seniutinas, Gediminas; Šebeka, Benjaminas; Savickaja, Irena; Malinauskas, Tadas; Badokas, Kazimieras; Juodkazis, Kęstutis Jonas; Juodkazis, Saulius. Solar water splitting: Efficiency discussion // International journal of hydrogen energy. ISSN 0360-3199. 2016, Vol. 41, iss. 28, p. 11941. DOI: 10.1016/j.ijhydene.2016.05.079.

[Straipsniai] Monemar, Bo; Paskov, P.P; Bergman, J.P.; Pozina, G.; Toropov, A.A.; Shubina, T.V.; Malinauskas, Tadas; Usui, A. Transient photoluminescence of shallow donor bound excitons in GaN // Physical review. B. Woodbury : American Physical Society. ISSN 1098-0121. 2010, vol. 82, no. 23, Art. no 235202, 235202 [p. 1-10]. DOI: 10.1103/PhysRevB.82.235202.

[Straipsniai] Malinauskas, Tadas; Nargelas, Saulius; Aleksiejūnas, Ramūnas; Jarašiūnas, Kęstutis. Heterodyne detection scheme for light-induced transient grating experiment // Optics communications. Amsterdam : Elsevier Science BV. ISSN 0030-4018. 2008, vol. 281, iss. 24, p. 6061-6064. DOI: 10.1016/j.optcom.2008.09.007.

[Straipsniai] Aleksiejūnas, Ramūnas; Sūdžius, Markas; Malinauskas, Tadas; Vaitkus, Juozas Vidmantis; Jarašiūnas, Kęstutis; Sakai, Shiro. Determination of free carrier bipolar diffusion coefficient and surface recombination velocity of undoped GaN epilayers // Applied physics letters. ISSN 0003-6951. 2003, vol. 83, no. 6, p. 1157-1159. DOI: 10.1063/1.1599036.

Mažo stiprinimo lavininio detektoriaus technologijos, pagrįstos GaN membranomis, kūrimas

Finansuotojas: Lietuvos mokslo taryba

III-grupės nitridų MOCVD auginimas Van der Valso epitaksijos metodu naudojant grafeną (GRAFoGaNas)

Finansuotojas: Europos socialinis fondas

MOCVD growth of III-nitride semiconductors by van der Waals epitaxy on graphene

Finansuotojas: Research Council of Lithuania

Nepolinio GaN auginimo ant silicio su retųjų žemės metalų oksidų tarpsluoksniais technologijos kūrimas

Finansuotojas: Lietuvos mokslo taryba

Bekatalitinis GaN nanovielų auginimas naujų optoelektroninių prietaisų gamybai

Finansuotojas: Lietuvos mokslo taryba

Didelio efektyvumo integruotas saulės energijos keitiklis

Femtosekundinė skaitmeninė holografija netiesinių procesų tyrimams III grupės nitridų junginyje

Finansuotojas: Lietuvos mokslo taryba

Naujų perspektyvių neorganinių fotovoltinių medžiagų technologijos kūrimas

Finansuotojas: Lietuvos mokslo taryba

Lietuvos mokslų akademijos stipendija jaunajam mokslininkui

Lietuvos mokslų akademija

Vilniaus universiteto rektoriaus apdovanojimas jaunajam mokslininkui

Vilniaus universiteto rektorius

Lietuvos mokslų akademijos apdovanojimas už studento darbą

Lietuvos mokslų akademija

“Remote epitaxy of GaN via Graphene on GaN/Sapphire Templates”, Workshop on Advanced Epitaxy for Freestanding Membranes and 2D Materials, July 06-08, 2022, MIT, Cambridge USA.